國(guó)內(nèi)外的測(cè)力傳感器品種繁多、研究歷史悠久，一般原理是：力作用在彈性體上，彈性體產(chǎn)生一個(gè)和作用力成比例的形變，通過一種敏感元件感應(yīng)這種形變并把這種形變轉(zhuǎn)換為可以識(shí)別的電信號(hào)。力傳感器的種類主要有應(yīng)變式、變磁阻式、電容式、壓電式、壓阻式等。應(yīng)變式以其分辨率高，誤差下，尺寸小，重量輕，能在嚴(yán)酷的環(huán)境中工作，技術(shù)成熟等特點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于電子秤、材料試驗(yàn)機(jī)、飛機(jī)和地面發(fā)動(dòng)機(jī)的測(cè)試等。

應(yīng)變式測(cè)力傳感器結(jié)構(gòu)復(fù)雜多樣，主要有柱式、懸臂梁式、環(huán)式、框式等數(shù)種。而柱式傳感器分為實(shí)心圓柱和空心圓柱，實(shí)心圓柱適應(yīng)測(cè)量大的作用力，而空心圓柱適用測(cè)量小的集中力。應(yīng)變式傳感器通常是用組成電橋的電阻絲或電阻箔將彈性材料的變形轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，利用粘膠把這些電阻絲或箔粘接到彈性材料上。

本項(xiàng)目研究的推力傳感器用于測(cè)量飛行器噴射氣體時(shí)產(chǎn)生的反推力。國(guó)內(nèi)現(xiàn)行方法是采用安裝在傳力塊下面的懸臂梁式傳感器來測(cè)量推力。梁式傳感器在受到重復(fù)的脈沖力作用時(shí)常發(fā)生諧振問題，并且安裝時(shí)需要將噴管彎曲，彎曲的噴管內(nèi)部有高速流體流動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的橫向作用力，使得測(cè)量數(shù)據(jù)不真實(shí)。國(guó)外目前采用空心柱式傳感器來測(cè)量傳力板的推力。

本項(xiàng)目產(chǎn)品將參考國(guó)外方法設(shè)計(jì)柱式力傳感器，并且研究先進(jìn)的薄膜工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電阻絲或電阻泊應(yīng)變計(jì)，使響應(yīng)時(shí)間提高到1ms。

一、研究目標(biāo)

設(shè)計(jì)一種新結(jié)構(gòu)的推力測(cè)量傳感器，同時(shí)研制一種先進(jìn)的薄膜應(yīng)變計(jì)，形成定型產(chǎn)品和小批量生產(chǎn)能力，滿足航空飛行器研究的設(shè)計(jì)需要。

二、主要技術(shù)指標(biāo)

測(cè)量范圍：0～200N；供電電壓：≤10V.dc；靈敏度：≥1.5mV/V；準(zhǔn)確度：0.2級(jí)；工作溫度：-25℃～125℃；響應(yīng)時(shí)間：≤1ms。

三、研究?jī)?nèi)容

實(shí)現(xiàn)本項(xiàng)目需重點(diǎn)研究的內(nèi)容如下：1、彈性體結(jié)構(gòu)形式設(shè)計(jì)；2、聚酰亞胺薄膜表面處理工藝研究；3、過渡薄膜層淀積研究；4、干法刻蝕工藝研究。

四、擬采取的研究技術(shù)路線及關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)

（一）技術(shù)路線

借鑒參考國(guó)外的反推力測(cè)量方案和產(chǎn)品技術(shù)路線，設(shè)計(jì)一種空心柱式傳感器彈性體，以便直接穿過噴氣管，彈性體與傳力塊連接，或者在彈性體上端設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)螺紋口直接與喇叭形噴頭連接。研究制造薄膜電橋應(yīng)變計(jì)用于檢測(cè)彈性體受力后的變形。

1、彈性體設(shè)計(jì)

空心圓柱在彈性范圍內(nèi)應(yīng)力與應(yīng)變成正比關(guān)系，ε為材料的軸向線應(yīng)變，σ為作用于材料的軸向應(yīng)力，E為彈性體的彈性模量，S為圓筒的橫截面積，F(xiàn)為作用在彈性元件上的集中力。

空心圓柱彈性元件的內(nèi)外直徑根據(jù)材料的允許應(yīng)力σb來計(jì)算：由于F/S = σb，要不超過材料的允許應(yīng)力則有S≥F/σb，即：D為空心圓柱的外徑，d為空心圓柱的內(nèi)徑。選擇D和d時(shí)，考慮到構(gòu)件的穩(wěn)定性及加工條件，空心圓柱的壁不能太薄，兩端的剛度要足夠。彈性元件的高度對(duì)傳感器的精度和動(dòng)態(tài)特性都有影響，由材料力學(xué)可知，高度對(duì)沿其橫截面的變形有影響，當(dāng)高度與直徑的比值H/D≥1時(shí)，沿其中間斷面上的應(yīng)力狀態(tài)和變形狀態(tài)與其端面上作用的載荷性質(zhì)和接觸條件無關(guān)。彈性元件上應(yīng)變片的粘貼和橋路的連接應(yīng)盡可能消除偏心和彎矩的影響。若想提高靈敏度，即在給定力作用下產(chǎn)生較大的應(yīng)變?chǔ)牛仨殰p小橫斷面積S，但S的減小受到許用力和線性要求的限制。若S允許減小，其抗彎能力也減弱。這樣，對(duì)橫向干擾力敏感。在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上采用橫向剛度大、縱向剛度小的膜片是消除橫向力影響的一個(gè)良好措施。具體設(shè)計(jì)中將著重考慮如何利用雙層膜片來降低對(duì)偏心以及側(cè)向負(fù)荷的敏感。

2、應(yīng)變電阻設(shè)計(jì)

對(duì)于應(yīng)變電阻，受到軸向力而被拉伸（或壓縮）時(shí)，如電阻采取縱橫雙向排列組成惠斯登全橋，對(duì)臂電阻相互匹配，應(yīng)變計(jì)安裝到彈性體的最大應(yīng)變區(qū)。

3、應(yīng)變計(jì)設(shè)計(jì)方案

傳統(tǒng)的應(yīng)變計(jì)是采用粘貼膠將電阻絲或電阻箔粘貼到絕緣基片上而成。粘貼應(yīng)變計(jì)中的粘貼膠會(huì)引起傳感器的零點(diǎn)蠕變和漂移，而且由于膠的存在致使這種傳感器不能用于惡劣環(huán)境，頻響收到限制。

本項(xiàng)目研究一種精度高、響應(yīng)快、耐惡劣環(huán)境能力強(qiáng)的薄膜應(yīng)變計(jì)。技術(shù)路線是：用聚酰亞胺作應(yīng)變計(jì)的基底，采用離子束濺射技術(shù)在基底上分別淀積制造過渡介質(zhì)薄膜、鎳鎘合金薄膜、鈍化保護(hù)膜和引線電極層，利用激光技術(shù)將合金薄膜刻成電橋圖形形成應(yīng)變計(jì)。

（二）關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)

1、薄膜應(yīng)變計(jì)的基片處理

聚酰亞胺薄膜基片在合成方法上具有其他高分子所難以具備的易變通性，合成途徑多種、形式多，可由聚苯并咪唑、聚苯并啞唑、聚苯并噻唑、聚喹啞啉和聚喹啉等單體合成。但主要由二元酐和二元胺，在極性溶劑/甲醇混合溶劑中進(jìn)行低溫縮聚、成膜加熱、脫水，表面再輔以芳香族聚酯亞胺等光膠物而成。基片裁剪后首先進(jìn)行超聲清洗，清洗好的基片在鍍膜前的裝片過程難免再受到環(huán)境的污染，表面吸附塵埃、纖微等污染物，需要在裝片后再次清洗。更重要的是要除去聚酰亞胺膜表面不利于金屬原子結(jié)合的芳香聚酯物。處理方法是采用離子束除去加工技術(shù)對(duì)基片表面進(jìn)行處理。

2、過渡層薄膜淀積研究

聚酰亞胺基片在檢驗(yàn)、劃片、裝片等工藝過程難免受到劃傷出現(xiàn)亞微米的劃痕，在其表面直接淀積薄膜將導(dǎo)致不均勻甚至不連續(xù)的缺陷，是薄弱失效部位，需研究淀積過渡薄膜層以保證薄膜的質(zhì)量，并增強(qiáng)薄膜與基片的結(jié)合力，改善膜和基片的應(yīng)力匹配。

1）、填補(bǔ)劃痕

基片表面的劃痕可能造成薄膜塌陷部位的厚度（σ）小于0.2μｍ，這種電阻薄膜是很不可靠的，顯微鏡觀測(cè)無法分辨其缺陷，因此在工藝設(shè)計(jì)上需采取相應(yīng)的措施。

在聚酰亞胺和薄膜之間淀積過渡薄膜層，可解決這個(gè)問題。淀積過渡層以后，薄膜的塌陷隨著過渡層厚度的增加，塌陷部位角度增大、深度減小。對(duì)于基片1μｍ深的劃痕，設(shè)計(jì)合理的過渡層厚度，以保證上層膜塌陷部位的最小厚度大于0.3μｍ。

2）增強(qiáng)與基片的結(jié)合力

與高分子材料基片結(jié)合層的薄膜首先以小島結(jié)構(gòu)形式存在，然后向網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)過渡，最后形成連續(xù)的薄膜。在薄膜的界面處有大量空位、錯(cuò)位、晶粒間界和雜質(zhì)等缺陷，即使通過熱處理仍然有非平衡的缺陷存在，這種非平衡的缺陷將導(dǎo)致薄膜的不穩(wěn)定，在環(huán)境溫度變化或電負(fù)荷作用下會(huì)引起不可逆的變化。

在基片上先聚焦離子源轟擊靶材，淀積一層難溶金屬薄膜，可顯著增強(qiáng)薄膜的結(jié)合力和穩(wěn)定性。難熔金屬原子的移動(dòng)性低，薄膜淀積時(shí)形成的所有結(jié)構(gòu)缺陷都能保留下來，在很寬的溫度范圍內(nèi)也不可能發(fā)生變化，穩(wěn)定性能高。本文源自澤天傳感，版權(quán)所有，轉(zhuǎn)載請(qǐng)保留出處。